极限了，已经没办法在工艺本身上再进行缩小尺寸，只能是在晶体管形状上想办法，尽可能的提升晶体管密度或降低功耗。
这个四纳米工艺，就是属于晶体管密度不变，但是功耗稍微降低了一些。
但是，这种技术详情，就没必要对外界普通人解释了，反正对外宣传就是说四纳米工艺。
不仅仅智云集团这么干，其实台积电，四星这两家也喜欢这么干，在工艺节点上很喜欢吹牛，尤其是四星那边吹的更狠。
目前四家主流的半导体制造厂商，即英特尔、四星、台积电、智云微电子，各家宣称的工艺节点其实差异很大。
比如七纳米工艺节点上，智云微电子的晶体管密度是一亿个，四星和台积电的在九千多万，而英特尔的嘛，还没搞出来……不是他们技术不行，而是他们的十纳米工艺其实就已经有一亿个晶体管密度了。
所以实际上，英特尔的十纳米工艺，等于智云微电子和四星、台积电的七纳米工艺……从技术指标上来说，这差不多。
五纳米工艺节点上，智云微电子的晶体管密度达到两亿个，台积电的一亿七千万多点。
英特尔那边相对应的是他们自称的七纳米工艺，不出意外应该有个一亿七八千万晶体管密度，但是还没有搞出来。
但是四星那边呢……一亿两千多万的工艺节点就已经自吹为五纳米工艺了。
在吹牛这一块上，四星比智云微电子还狠……
今年，智云微电子则是拿第二代五纳米工艺，即五纳米工艺的低功耗版本，称之为四纳米工艺……不出意外的话，后续台积电以及四星也会继续跟上吹牛逼。
尽管所谓的四纳米工艺对比五纳米工艺，提升并不大，但是好歹算是有了提升，功耗的降低，也意味着散热更低，这样芯片尺寸就能做的大一些……手机内部空间非常有限，散热也很难搞。
因此如果芯片的功耗控制的不好，单纯放大芯片尺寸增加晶体管数量，那么就会搞出来一个超级火龙出来……如同早期高通的骁龙810芯片一样，这么多年里，还被很多消费者记着呢。
而N4工艺，功耗下降了一些，同样的散热条件下，相对芯片尺寸也就能做大一些，进而提升芯片的性能。
因此今年的S21手机，在整体的性能提升上，还是有的，只是不算很明显……当然，其实就算不提升，以目前的S系列旗舰手机的性能而言也足够用了。
技术发展到现在的程度，智云S
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